5SHY3545L0016 3BHB020720T0002 ABB Модуль последовательной связи

5SHY3545L0016 3BHB020720T0002 ABB Модуль последовательной связи

5SHY3545L0016 3BHB020720T0002 ABB Модуль последовательной связи

Наш электронный адрес: 2235954483@qq.com

Определения IT(AV)M и IT(RMS) берут начало из классической практики применения тиристоров с фазовым управлением, которая главным образом применяется для сетевых частот 50 и 60 Гц. Поскольку в большинстве приложений с ИГСТ токовые формы сигналов далеко от синусоидальных, а потери при коммутации составляют значительную часть общих потерь мощности, IT(AV)M и IT(RMS) не имеют реальной практической значимости. Однако, как уже упоминалось, они могут быть полезными для сравнения с другими продуктами.

ITSM: Максимальный неповторяющийся импульсный ток - это максимально допустимое, зависящее от длительности импульса, пиковое значение полусинусоидального импульсного тока, которое подается в момент, когда ИГСТ работает при максимальной температуре перехода. Хотя в практике температура корпуса перед подачей импульса всегда ниже 125 °C, как переход, так и корпус нагреваются до 125 °C при установлении предела импульсного тока. Эти самые тяжелые условия тестирования обеспечивают дополнительный запас прочности для реальных нагрузок в приложениях. Для требований по импульсному току, которые не похожи на полусинуса или не могут быть охвачены полусинусоидой, показанной на рис. 8, пожалуйста, свяжитесь с ближайшим представителем или по адресу, указанному в конце данного приложения, для оценки. Во время импульса температура перехода повышается до значения, значительно превышающего его номинальное максимальное значение. Поэтому тиристор больше не способен блокировать номинальное напряжение, поэтому значения ITSM действительны только при VD = VR 0 В после импульса, т.е. без повторного приложения напряжения. Хотя одиночный импульс не вызывает необратимого повреждения кремниевой пластины, его не должно допускаться слишком часто.

Контактный номер: 13313705507

Контактное лицо: HE

2 t: Интегральная нагрузка на ограничение импульсного тока I2 t является сокращением и означает lT2 dt. Это значение выведено из значения ITSM, рассмотренного выше, согласно следующему выражению: (для полусинусоидальных форм сигнала) Для защиты IGCT значение I2 t полупроводникового предохранителя должно быть ниже максимального значения I2t IGCT. Ограничения, касающиеся ITSM, применяются аналогично для I2 t. LD: Рассеянная индуктивность между IGCT и антипараллельной диодом: для оптимизации поведения коммутации рекомендуется минимизировать LD настолько, насколько это возможно. Типичные значения в применениях находятся в диапазоне 30 - 50 нГн. Однако, в паспортах ассиметричных IGCT определена максимальная LD и она была проверена в процессе эксплуатации. diT/dtcr: Это критическая скорость возрастания прямой тока при включении IGCT. См. подробное описание в разделе 3.3. VT: VT - напряжение в включенном состоянии при заданном токе в включенном состоянии IT (обычно ITGQM) и при максимальной температуре перехода. VT, в пределах допустимых значений, зависит от дозы облучения, которая определяет время жизни неосновных носителей заряда. Более низкое значение VT автоматически означает более высокое значение Eoff, и наоборот. Показаны максимальные и типичные значения.